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普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。SiC器件參數(shù)測(cè)試儀SiC MOS參數(shù)分析儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；

圖5:IGBT測(cè)試系統(tǒng)圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置由多種測(cè)量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

    高電壓、大電流

    具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(Z大可擴(kuò)展至10kV)

    具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測(cè)量

     納安級(jí)漏電流,μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

    0.1%精度測(cè)量

    模塊化配置

    可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

    測(cè)試效率高

    內(nèi)置專用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

    支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

    擴(kuò)展性好

    支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具

“魔方”式的系統(tǒng)組成

   普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要由測(cè)試儀表、上位機(jī)軟件、電腦、矩陣開(kāi)關(guān)、夾具、高壓及大電流信號(hào)線等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的靜態(tài)測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種電壓、電流等級(jí)的測(cè)量單元。結(jié)合自主開(kāi)發(fā)的上位機(jī)軟件控制測(cè)試主機(jī),可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,選擇不同的電壓、電流等級(jí),以滿足不同測(cè)試需求。

   系統(tǒng)主機(jī)的測(cè)量單元,主要包括普賽斯P系列高精度臺(tái)式脈沖源表、HCPL系列高電流脈沖電源、E系列高壓源測(cè)單元、C-V測(cè)量單元等。其中,P系列高精度臺(tái)式脈沖源表用于柵極驅(qū)動(dòng)與測(cè)試使用,Z大支持30V@10A脈沖輸出與測(cè)試;HCPL系列高電流脈沖電源用于集電極、發(fā)射極之間電流測(cè)試及續(xù)流二極管的測(cè)試,15us的超快電流上升沿,自帶電壓采樣,單設(shè)備支持Z大1000A脈沖電流輸出;E系列高壓源測(cè)單元用于集電極、發(fā)射極之間電壓、漏電流測(cè)試,Z高支持3500V電壓輸出,并且自帶電流測(cè)量功能。系統(tǒng)的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),精度為0.1%。

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的“一鍵”測(cè)試項(xiàng)目

   普賽斯現(xiàn)在可以提供完整的IGBT芯片和模塊參數(shù)的測(cè)試方法,可以輕松實(shí)現(xiàn)靜態(tài)參數(shù)l-V和C-V的測(cè)試，蕞終輸出產(chǎn)品Datasheet報(bào)告。這些方法同樣適用于寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN功率器件。

IGBT靜態(tài)測(cè)試夾具方案

   針對(duì)市面上不同封裝類型的IGBT產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案,可用于TO單管、半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。

    普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表、脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室、新能源、光伏、風(fēng)電、軌交、變頻器等場(chǎng)景。更多有關(guān)SiC器件參數(shù)測(cè)試儀SiC MOS參數(shù)分析儀詳情認(rèn)準(zhǔn)“普賽斯儀表”咨詢，詳詢一八一四零六六三四七六；